據(jù)悉，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所突破了大直徑SiC生長(zhǎng)的溫場(chǎng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長(zhǎng)爐高極限真空、低背景漏率生長(zhǎng)爐設(shè)計(jì)制造及小批量生產(chǎn)；還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術(shù)、粒度控制技術(shù)、晶型控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn)。

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