美光發(fā)布手機3D閃存
日前，在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會（Flash Memory Summit）上，美光公布了首款3D NAND閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù)報道，這款3D閃存芯片與傳統(tǒng)的2D NAND水平排布儲存單元不同，3D NAND使用垂直的方式排布儲存單元，這種排布方式不但可以增加閃存的容量，又能讓芯片與處理器通訊變快。單個容量為32GB，采用全新UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)，讀取速度達到1.5GB/s，寫入接近500MB/s，是目前UFS2.0的2倍。未來中高端手機上將會采用這種3D閃存芯片，對手機市場來說又是一波新的換機潮，畢竟誰都想要速度更快，儲存容量更大的手機。
其實閃存科技快速發(fā)展折射出當(dāng)前對于高科技芯片的廣闊需求，這也是今年半導(dǎo)體市場的縮影。今年以來，由于下游需求旺盛，半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集增加，預(yù)計全年將取得出色成績。另外，半導(dǎo)體設(shè)備主要集中在制造和封測端，晶圓制造設(shè)備依舊是半導(dǎo)體設(shè)備中占絕對地位的設(shè)備，在2015年晶圓制造設(shè)備銷售額達到約286.7億美元，占比達到78.74%。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備增長迅速，目前已經(jīng)達到全球增速最快的市場，且下游需求良好，前景可期。
國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備替代空間廣闊
2015年，前五大供應(yīng)商占市場份額的76.8%，前十大供應(yīng)商占據(jù)了93.6%的市場份額，市場集中度高。值得注意的是，十大廠商中多數(shù)為美國和日本企業(yè)，國內(nèi)廠商在這塊差距仍然較大。從半導(dǎo)體主要制造設(shè)備看來，光刻機、刻蝕機、化學(xué)氣相沉積（CVD）市場都為國外廠商占據(jù)。同時，也說明中國半導(dǎo)體設(shè)備市場存在巨大替代空間，且由于需求驅(qū)動，主要設(shè)備后續(xù)需求有望持續(xù)，維持良好增長勢頭。
招商證券指出，當(dāng)前大陸半導(dǎo)體設(shè)備和材料的需求大幅增長，大陸半導(dǎo)體進入生產(chǎn)線密集建設(shè)期，目前在建或計劃建設(shè)的半導(dǎo)體晶圓投資項目總額已達800億美元，將需求約600億美元的設(shè)備，而材料的需求也隨之增加。預(yù)計2020年，大陸半導(dǎo)體設(shè)備和材料年需求規(guī)模將超過200億美元。
在需求上行的推動下，預(yù)計晶圓設(shè)備市場有望開始恢復(fù)成長趨勢，設(shè)備產(chǎn)能利用率也有望逐步回升，前期的高庫存也將有望顯著降低。此外，在國家半導(dǎo)體扶持政策推動下，國內(nèi)有望實現(xiàn)爆發(fā)式增長。近幾年國內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)已取得長足進步，逐步實現(xiàn)從低端向高端替代?？涛g機、PVD、先進封裝光刻機等設(shè)備，靶材、電鍍液等材料，不僅滿足國內(nèi)市場的需求，還獲得國際一流客戶的認可，遠銷海外市場。半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化程度不斷提升，龍頭企業(yè)受益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機遇。
A股相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司望受關(guān)注：長電科技（封裝）、通富微電（封裝）、 七星電子（設(shè)備）、 南大光電（材料）、上海新陽（材料）、 全志科技、大唐電信