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相變內存研究再獲新突破

2017-06-05 20:40? 來源:財股網(wǎng) 作者:陳天杰 本篇文章有字,看完大約需要 分鐘的時間

來源:財股網(wǎng)

據(jù)報道,斯坦福大學剛剛在相變內存(PCM)領域實現(xiàn)了一個新的突破:PCM的相變轉變速度可比傳統(tǒng)DRAM快千倍。今年5月IBM也宣布了一項全新的儲存技術能夠解決目前的電腦性能瓶頸,其成本已降至可接受的范圍,從而可以進入商用階段。IBM和斯坦福大學相繼在相變內存領域取得的重大進展有望推進PCM技術成為主流。

  相變存儲技術是繼內存、閃存之后目前世界上最先進的存儲技術,可廣泛應用于移動設備、大數(shù)據(jù)存儲及云存儲平臺,被業(yè)界視為未來閃存和內存的替代品。其功耗只有現(xiàn)有閃存的一半,但讀寫速度可達閃存的1000倍。據(jù)預測,在未來30年內,基于PCM技術生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品將成為電子存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要支撐力量。

  A股中:

  南大光電:生產(chǎn)的MO源、二叔丁基碲,是制造相變存儲器的核心原材料;

  朗科科技:多項發(fā)明專利已覆蓋相變材料等新型存儲介質技術。

  紫光國芯:為國內存儲器的龍頭和領軍者;

  深科技:旗下的沛頓科技已給金士頓和美光配套存儲封測多年,技術國際一流,深度受益存儲芯片國產(chǎn)化;

  上海貝嶺:公司已經(jīng)初步形成了以電能計量、電源電路、通信電路三大產(chǎn)品線為主的產(chǎn)品布局,并成為國內10大設計企業(yè)之一。公司建有8英寸集成電路生產(chǎn)線,并已完成模擬電路設計從0.35微米向0.18微米升級;電源管理從低端LDO芯片向中高端DC-DC和PMU升級。公司的集成電路設計、產(chǎn)品應用開發(fā),以上千種集成電路產(chǎn)品服務于153個行業(yè)約2000家最終用戶,成為國內集成電路產(chǎn)品主要供應商之一。目前,擁有通信、電能計量、電源管理、分立器件、RFID芯片、手機周邊電路、MCU等領域豐富的產(chǎn)品。

  士蘭微:公司是中國集成電路設計行業(yè)的領先企業(yè),已掌握和擁有的技術可從事中高端產(chǎn)品的開發(fā),核心技術在中國同行業(yè)中處于較高水平,具有明顯的競爭優(yōu)勢。功率驅動模塊的核心是高壓的650V半橋驅動集成電路和IGBT、高壓MOSFET、快恢復二極管等功率半導體器件,公司經(jīng)過近5年的持續(xù)技術攻關,已經(jīng)在自己的芯片生產(chǎn)線上全部實現(xiàn)了上述幾類關鍵集成電路和器件的研發(fā)與批量生產(chǎn),是目前國內唯一一家全面掌握上述核心技術的芯片廠家。公司全資子公司士蘭明芯成功開發(fā)出了高亮度的藍、綠光LED芯片,進入批量生產(chǎn)階段并取得了良好的銷售業(yè)績。


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